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作 者:方志烈编著 |
出 版 社: |
出版年份:2009 年 |
ISBN:9787121087295 |
页数:388 页 |
支持介质: |
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图书封面及目录 |
封面|1 内容简介|3 版权页|3 序|4 目录|5 第1章 光 视觉 颜色|141.1 光|141.1.1 光的本质|14 1.1.2 光的产生和传播|16 1.1.3 人眼的光谱灵敏度|19 1.1.4 光度学及其测量|21 1.2 视觉|261.2.1 作为光学系统的人眼|26 1.2.2 视觉的特征与功能|27 1.3 颜色|321.3.1 颜色的性质|32 1.3.2 国际照明委员会色度学系统|33 1.3.3 色度学及其测量|37 第2章 光源|412.1 自然光源|412.1.1 太阳|41 2.1.2 月亮和行星|42 2.2 人工光源|422.2.1 人工光源的发明与发展|42 2.2.2 白炽灯|43 2.2.3 卤钨灯|44 2.2.4 荧光灯|45 2.2.5 低压钠灯|46 2.2.6 高压放电灯|47 2.2.7 无电极放电灯|48 2.2.8 发光二极管|49 2.2.9 照明的经济核算|50 第3章 半导体发光材料晶体导论|523.1 晶体结构|523.1.1 空间点阵|52 3.1.2 晶面与晶向|53 3.1.3 闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构|54 3.1.4 缺陷及其对发光的影响|56 3.2 能带结构|59 3.3 半导体晶体材料的电学性质|643.3.1 费米能级和载流子|64 3.3.2 载流子的漂移和迁移率|65 3.3.3 电阻率和载流子浓度|66 3.3.4 寿命|66 3.4 半导体发光材料的条件|673.4.1 带隙宽度合适|67 3.4.2 可获得电导率高的P型和N型晶体|67 3.4.3 可获得完整性好的优质晶体|67 3.4.4 发光复合概率大|67 第4章 半导体的激发与发光|694.1 PN结及其特性|694.1.1 理想的PN结|69 4.1.2 实际的PN结|76 4.2 注入载流子的复合|784.2.1 复合的种类|78 4.2.2 辐射型复合|78 4.2.3 非辐射型复合|81 4.3 辐射与非辐射复合之间的竞争|82 4.4 异质结构和量子阱|824.4.1 异质结构|82 4.4.2 量子阱|83 第5章 半导体发光材料体系|875.1 砷化镓|88 5.2 磷化镓|89 5.3 磷砷化镓|905.3.1 GaAs0.60)P(0.40)/GaAs|91 5.3.2 晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响|92 5.4 镓铝砷|92 5.5 铝镓铟磷|93 5.6 铟镓氮|94 第6章 半导体照明光源的发展和特征参量|976.1 发光二极管的发展|98 6.2 发光二极管材料生长方法|100 6.3 高亮度发光二极管芯片结构|1016.3.1 单量子阱(SQW)结构|101 6.3.2 多量子阱(MQW)结构|102 6.3.3 分布布拉格反射(DBR)结构|102 6.3.4 透明衬底技术(Transparent Substrate,TS)|102 6.3.5 镜面衬底(Mirror Substrate,MS)|102 6.3.6 透明胶质黏结型|102 6.3.7 表面纹理结构|102 6.4 照明用LED的特征参数和要求|1026.4.1 光通量(lm/灯)|103 6.4.2 发光效率(lm/W)|103 6.4.3 显色指数(CR1、R(a))|104 6.4.4 色温|105 6.4.5 寿命|105 6.4.6 稳定性|106 6.4.7 热阻|106 6.4.8 抗静电性能|106 第7章 磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长|1077.1 磷砷化镓氢化物气相外延生长(HVPE)|107 7.2 氢化物外延体系的热力学分析|109 7.3 液相外延原理|112 7.4 磷化镓的液相外延|1167.4.1 磷化镓绿色发光材料外延生长|116 7.4.2 磷化镓红色发光材料外延生长|117 7.5 镓铝砷的液相外延|118 第8章 铝镓铟磷发光二极管|1218.1 AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论|1218.1.1 源材料|121 8.1.2 生长条件|123 8.1.3 器件生长|126 8.2 外延材料的规模生产问题|1298.2.1 反应器问题:输送和排空处理|129 8.2.2 均匀性的重要性|129 8.2.3 源的质量问题|130 8.2.4 颜色控制问题|130 8.2.5 生产损耗问题|131 8.3 电流扩展|1318.3.1 欧姆接触的改进|132 8.3.2 p型衬底上生长|132 8.3.3 电流扩展窗层|132 8.3.4 氧化铟锡(ITO)|133 8.4 电流阻挡结构|133 8.5 光的取出|1348.5.1 上窗设计|134 8.5.2 衬底吸收|136 8.5.3 分布布拉格反射LED|137 8.5.4 GaP晶片黏结透明衬底LED|138 8.5.5 胶质黏着(蓝宝石晶片黏结)|139 8.5.6 纹理表面结构|139 8.6 芯片制造技术|141 8.7 器件特性|141 第9章 铟镓氮发光二极管|1439.1 GaN生长|1439.1.1 未掺杂GaN|144 9.1.2 n型GaN|145 9.1.3 p型GaN|146 9.1.4 GaN p-n结LED|146 9.2 InGaN生长|1469.2.1 未掺InGaN|146 9.2.2 掺杂InGaN|147 9.3 InGaN LED|1489.3.1 InGaN/GaN双异质结LED|148 9.3.2 InGaN/AlGaN双异质结LED|149 9.3.3 InGaN单量子阱(SQW)结构LED|149 9.3.4 高亮度绿色和蓝色LED|151 9.3.5 InGaN多量子阱(MQW)结构LED|152 9.3.6 紫外LED|152 9.3.7 AlGaN深紫外LED|153 9.3.8 硅衬底GaN蓝光LED|153 9.4 提高质量和降低成本的几个重要技术问题|1549.4.1 衬底|154 9.4.2 缓冲层|156 9.4.3 激光剥离(LLO)|157 9.4.4 氧化铟锡(ITO)|157 9.4.5 表面纹理结构|158 9.4.6 图形衬底侧向外延技术(LEPS)|158 9.4.7 微矩阵发光二极管(MALED)|159 9.4.8 光子晶体(Photonic Crystal,PC)LED|159 9.4.9 金属垂直光子LED(MVP LED)|161 第10章 LED芯片制造技术|16210.1 光刻技术|162 10.2 氮化硅生长|163 10.3 扩散|164 10.4 欧姆接触电极|166 10.5 ITO透明电极|168 10.6 表面粗化|170 10.7 光子晶体|170 10.8 激光剥离(Laser Lift-off,LLO)|171 10.9 倒装芯片技术|172 10.10 垂直结构芯片技术|173 10.11 芯片的切割|173 10.12 LED芯片结构的发展|174 第11章 白光发光二极管|17711.1 新世纪光源的研制目标|177 11.2 人造白光的最佳化|17711.2.1 发光效率和显色性的折中|177 11.2.2 二基色体系|179 11.2.3 多基色体系|180 11.3 荧光粉转换白光LED|18111.3.1 二基色荧光粉转换白光LED|181 11.3.2 多基色荧光粉转换白光LED|183 11.3.3 紫外LED激发多基色荧光粉|183 11.4 多芯片白光LED|18411.4.1 二基色多芯片白光LED|184 11.4.2 多基色多芯片白光LED|186 第12章 LED封装技术|18812.1 LED器件的设计|18812.1.1 设计原则|188 12.1.2 电学设计|188 12.1.3 热学设计|189 12.1.4 光学设计|190 12.1.5 视觉因素|192 12.2 LED封装技术|19412.2.1 小功率LED封装|194 12.2.2 SMD LED的封装|197 12.2.3 大电流LED的封装|198 12.2.4 功率LED的封装|198 12.2.5 功率LED组件|207 12.2.6 铟镓氮类LED的防静电措施|210 第13章 发光二极管的测试|21313.1 发光器件的效率|21313.1.1 发光效率|213 13.1.2 功率效率|213 13.1.3 量子效率|213 13.2 电学参数|21413.2.1 伏安特性|214 13.2.2 总电容|215 13.3 光电特性参数——光电响应特性|216 13.4 光度学参数|21613.4.1 法向光强I(0)的测定|216 13.4.2 发光强度角分布(半强度角和偏差角)|217 13.4.3 总光通量的测量|218 13.4.4 量值传递|220 13.5 色度学参数|22113.5.1 光谱分布曲线|221 13.5.2 光电积分法测量色度坐标|222 13.6 热学参数(结温、热阻)|222 13.7 静电耐受性|224 第14章 发光二极管的可靠性|22514.1 LED可靠性概念|22514.1.1 可靠性的含义|225 14.1.2 可靠度的定义|226 14.1.3 LED可靠性的相关概念|226 14.2 LED的失效分析|22914.2.1 芯片的退化|231 14.2.2 环氧系塑料的寿命分析|234 14.2.3 管芯的寿命分析|236 14.2.4 荧光粉的退化|236 14.3 可靠性试验|23814.3.1 小功率LED环境试验|239 14.3.2 功率LED环境试验|240 14.4 寿命试验|24014.4.1 磷化镓发光器件的寿命试验|240 14.4.2 功率LED(白光)长期工作寿命试验|241 14.4.3 加速寿命试验|241 14.5 可靠性筛选|24414.5.1 功率老化|244 14.5.2 高温老化|244 14.5.3 湿度试验|244 14.5.4 高低温循环|244 14.5.5 其他项目的选用|244 14.6 例行试验和鉴定验收试验|24514.6.1 例行试验|245 14.6.2 鉴定验收试验|245 第15章 有机发光二极管|24615.1 有机发光二极管材料|24615.1.1 小分子有机物|246 15.1.2 高分子聚合物|247 15.1.3 镧系金属有机化合物|247 15.2 有机发光二极管的结构和原理|247 15.3 OLED实现白光的途径|24715.3.1 波长转换|247 15.3.2 颜色混合|248 15.4 有机发光二极管的驱动|252 15.5 有机发光二极管研发现状|254 15.6 白光OLED发展趋势和实用化预测|255 第16章 半导体照明驱动和控制|25716.1 LED驱动技术|25716.1.1 LED的电学性能特点|257 16.1.2 电源驱动方案|257 16.1.3 驱动电路基本方案|258 16.1.4 LED驱动器的特性|262 16.1.5 LED与驱动器的匹配|263 16.2 LED驱动器|26616.2.1 电容降压式LED驱动器|266 16.2.2 电感式LED驱动器|267 16.2.3 电荷泵式LED驱动器|267 16.2.4 LED恒流驱动器|269 16.3 LED集成驱动电路|26916.3.1 电荷泵驱动LED的典型电路|269 16.3.2 开关式DC/DC变换器驱动LED的典型电路|278 16.3.3 限流开关TPS2014/TPS2015|285 16.3.4 六路串联白光LED驱动电路MAX8790|287 16.3.5 集成肖特基二极管的恒流白光LED驱动器LT3591|289 16.3.6 低功耗高亮度LED驱动器LM3404|290 16.3.7 具有诊断功能的16通道LED驱动器AS1110|292 16.3.8 LED集成驱动电路资料摘编|293 16.4 控制技术|29516.4.1 调光|295 16.4.2 调色|296 16.4.3 调色温|297 16.4.4 智能照明|297 第17章 半导体照明应用|29817.1 半导体照明应用产品开发原则|29817.1.1 要从LED的优点出发开发应用产品|298 17.1.2 应用产品市场起动的判据——照明成本|299 17.1.3 应用产品的技术关键是散热|299 17.1.4 遵循功率由低到高、技术由易到难的原则|300 17.1.5 造型设计要创新|300 17.1.6 照明灯具通则|300 17.2 LED显示屏|30817.2.1 总体发展规模|308 17.2.2 产品技术完善、新品继续拓展|308 17.3 交通信号灯|30917.3.1 道路交通信号灯|310 17.3.2 铁路信号灯|312 17.3.3 机场信号灯|315 17.3.4 航标灯|315 17.3.5 路障灯|315 17.3.6 航空障碍灯|315 17.4 景观照明|31617.4.1 城市景观照明的功能作用|316 17.4.2 光源选择以LED为佳|318 17.4.3 LED景观灯具|318 17.4.4 LED景观照明典型工程|325 17.4.5 景观照明走向规范化|329 17.5 手机应用|329 17.6 汽车用灯|330 17.7 LCD显示背光源|33117.7.1 LED背光源的技术和市场状况分类概述|331 17.7.2 LED背光LCD TV的技术进展|333 17.8 微型投影机|33617.8.1 微型投影之光源——HBLED|336 17.8.2 微型显示器件|336 17.8.3 微型投影机研发现状和市场前景|338 17.9 通用照明|33917.9.1 便携式照明|339 17.9.2 室内照明|340 17.9.3 室外照明|355 17.10 光源效率和照明系统整体效率|374 第18章 半导体照明技术、市场现状和展望|37618.1 LED外延|37618.1.1 衬底|376 18.1.2 InGaN MOCVD设备的发展|377 18.2 LED芯片技术|377 18.3 LED封装技术|378 18.4 LED发光效率的发展|37818.4.1 功率LED|379 18.4.2 功率LED的研制方向|379 18.4.3 功率LED组件——应用热管技术|379 18.5 市场现状和预测|37918.5.1 高亮度LED市场现状和预测|379 18.5.2 中国LED应用市场现状和预测|380 18.6 半导体照明发展目标|381 参考文献|382 封底|388 |
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