 封面|1
内容简介|3
版权页|3
序|4
目录|5
第1章 光 视觉 颜色|141.1 光|141.1.1 光的本质|14
1.1.2 光的产生和传播|16
1.1.3 人眼的光谱灵敏度|19
1.1.4 光度学及其测量|21
1.2 视觉|261.2.1 作为光学系统的人眼|26
1.2.2 视觉的特征与功能|27
1.3 颜色|321.3.1 颜色的性质|32
1.3.2 国际照明委员会色度学系统|33
1.3.3 色度学及其测量|37
第2章 光源|412.1 自然光源|412.1.1 太阳|41
2.1.2 月亮和行星|42
2.2 人工光源|422.2.1 人工光源的发明与发展|42
2.2.2 白炽灯|43
2.2.3 卤钨灯|44
2.2.4 荧光灯|45
2.2.5 低压钠灯|46
2.2.6 高压放电灯|47
2.2.7 无电极放电灯|48
2.2.8 发光二极管|49
2.2.9 照明的经济核算|50
第3章 半导体发光材料晶体导论|523.1 晶体结构|523.1.1 空间点阵|52
3.1.2 晶面与晶向|53
3.1.3 闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构|54
3.1.4 缺陷及其对发光的影响|56
3.2 能带结构|59
3.3 半导体晶体材料的电学性质|643.3.1 费米能级和载流子|64
3.3.2 载流子的漂移和迁移率|65
3.3.3 电阻率和载流子浓度|66
3.3.4 寿命|66
3.4 半导体发光材料的条件|673.4.1 带隙宽度合适|67
3.4.2 可获得电导率高的P型和N型晶体|67
3.4.3 可获得完整性好的优质晶体|67
3.4.4 发光复合概率大|67
第4章 半导体的激发与发光|694.1 PN结及其特性|694.1.1 理想的PN结|69
4.1.2 实际的PN结|76
4.2 注入载流子的复合|784.2.1 复合的种类|78
4.2.2 辐射型复合|78
4.2.3 非辐射型复合|81
4.3 辐射与非辐射复合之间的竞争|82
4.4 异质结构和量子阱|824.4.1 异质结构|82
4.4.2 量子阱|83
第5章 半导体发光材料体系|875.1 砷化镓|88
5.2 磷化镓|89
5.3 磷砷化镓|905.3.1 GaAs0.60）P（0.40）/GaAs|91
5.3.2 晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响|92
5.4 镓铝砷|92
5.5 铝镓铟磷|93
5.6 铟镓氮|94
第6章 半导体照明光源的发展和特征参量|976.1 发光二极管的发展|98
6.2 发光二极管材料生长方法|100
6.3 高亮度发光二极管芯片结构|1016.3.1 单量子阱（SQW）结构|101
6.3.2 多量子阱（MQW）结构|102
6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构|102
6.3.4 透明衬底技术（Transparent Substrate，TS）|102
6.3.5 镜面衬底（Mirror Substrate，MS）|102
6.3.6 透明胶质黏结型|102
6.3.7 表面纹理结构|102
6.4 照明用LED的特征参数和要求|1026.4.1 光通量（lm/灯）|103
6.4.2 发光效率（lm/W）|103
6.4.3 显色指数（CR1、R（a））|104
6.4.4 色温|105
6.4.5 寿命|105
6.4.6 稳定性|106
6.4.7 热阻|106
6.4.8 抗静电性能|106
第7章 磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长|1077.1 磷砷化镓氢化物气相外延生长（HVPE）|107
7.2 氢化物外延体系的热力学分析|109
7.3 液相外延原理|112
7.4 磷化镓的液相外延|1167.4.1 磷化镓绿色发光材料外延生长|116
7.4.2 磷化镓红色发光材料外延生长|117
7.5 镓铝砷的液相外延|118
第8章 铝镓铟磷发光二极管|1218.1 AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论|1218.1.1 源材料|121
8.1.2 生长条件|123
8.1.3 器件生长|126
8.2 外延材料的规模生产问题|1298.2.1 反应器问题:输送和排空处理|129
8.2.2 均匀性的重要性|129
8.2.3 源的质量问题|130
8.2.4 颜色控制问题|130
8.2.5 生产损耗问题|131
8.3 电流扩展|1318.3.1 欧姆接触的改进|132
8.3.2 p型衬底上生长|132
8.3.3 电流扩展窗层|132
8.3.4 氧化铟锡（ITO）|133
8.4 电流阻挡结构|133
8.5 光的取出|1348.5.1 上窗设计|134
8.5.2 衬底吸收|136
8.5.3 分布布拉格反射LED|137
8.5.4 GaP晶片黏结透明衬底LED|138
8.5.5 胶质黏着（蓝宝石晶片黏结）|139
8.5.6 纹理表面结构|139
8.6 芯片制造技术|141
8.7 器件特性|141
第9章 铟镓氮发光二极管|1439.1 GaN生长|1439.1.1 未掺杂GaN|144
9.1.2 n型GaN|145
9.1.3 p型GaN|146
9.1.4 GaN p-n结LED|146
9.2 InGaN生长|1469.2.1 未掺InGaN|146
9.2.2 掺杂InGaN|147
9.3 InGaN LED|1489.3.1 InGaN/GaN双异质结LED|148
9.3.2 InGaN/AlGaN双异质结LED|149
9.3.3 InGaN单量子阱（SQW）结构LED|149
9.3.4 高亮度绿色和蓝色LED|151
9.3.5 InGaN多量子阱（MQW）结构LED|152
9.3.6 紫外LED|152
9.3.7 AlGaN深紫外LED|153
9.3.8 硅衬底GaN蓝光LED|153
9.4 提高质量和降低成本的几个重要技术问题|1549.4.1 衬底|154
9.4.2 缓冲层|156
9.4.3 激光剥离（LLO）|157
9.4.4 氧化铟锡（ITO）|157
9.4.5 表面纹理结构|158
9.4.6 图形衬底侧向外延技术（LEPS）|158
9.4.7 微矩阵发光二极管（MALED）|159
9.4.8 光子晶体（Photonic Crystal，PC）LED|159
9.4.9 金属垂直光子LED（MVP LED）|161
第10章 LED芯片制造技术|16210.1 光刻技术|162
10.2 氮化硅生长|163
10.3 扩散|164
10.4 欧姆接触电极|166
10.5 ITO透明电极|168
10.6 表面粗化|170
10.7 光子晶体|170
10.8 激光剥离（Laser Lift-off，LLO）|171
10.9 倒装芯片技术|172
10.10 垂直结构芯片技术|173
10.11 芯片的切割|173
10.12 LED芯片结构的发展|174
第11章 白光发光二极管|17711.1 新世纪光源的研制目标|177
11.2 人造白光的最佳化|17711.2.1 发光效率和显色性的折中|177
11.2.2 二基色体系|179
11.2.3 多基色体系|180
11.3 荧光粉转换白光LED|18111.3.1 二基色荧光粉转换白光LED|181
11.3.2 多基色荧光粉转换白光LED|183
11.3.3 紫外LED激发多基色荧光粉|183
11.4 多芯片白光LED|18411.4.1 二基色多芯片白光LED|184
11.4.2 多基色多芯片白光LED|186
第12章 LED封装技术|18812.1 LED器件的设计|18812.1.1 设计原则|188
12.1.2 电学设计|188
12.1.3 热学设计|189
12.1.4 光学设计|190
12.1.5 视觉因素|192
12.2 LED封装技术|19412.2.1 小功率LED封装|194
12.2.2 SMD LED的封装|197
12.2.3 大电流LED的封装|198
12.2.4 功率LED的封装|198
12.2.5 功率LED组件|207
12.2.6 铟镓氮类LED的防静电措施|210
第13章 发光二极管的测试|21313.1 发光器件的效率|21313.1.1 发光效率|213
13.1.2 功率效率|213
13.1.3 量子效率|213
13.2 电学参数|21413.2.1 伏安特性|214
13.2.2 总电容|215
13.3 光电特性参数——光电响应特性|216
13.4 光度学参数|21613.4.1 法向光强I（0）的测定|216
13.4.2 发光强度角分布（半强度角和偏差角）|217
13.4.3 总光通量的测量|218
13.4.4 量值传递|220
13.5 色度学参数|22113.5.1 光谱分布曲线|221
13.5.2 光电积分法测量色度坐标|222
13.6 热学参数（结温、热阻）|222
13.7 静电耐受性|224
第14章 发光二极管的可靠性|22514.1 LED可靠性概念|22514.1.1 可靠性的含义|225
14.1.2 可靠度的定义|226
14.1.3 LED可靠性的相关概念|226
14.2 LED的失效分析|22914.2.1 芯片的退化|231
14.2.2 环氧系塑料的寿命分析|234
14.2.3 管芯的寿命分析|236
14.2.4 荧光粉的退化|236
14.3 可靠性试验|23814.3.1 小功率LED环境试验|239
14.3.2 功率LED环境试验|240
14.4 寿命试验|24014.4.1 磷化镓发光器件的寿命试验|240
14.4.2 功率LED（白光）长期工作寿命试验|241
14.4.3 加速寿命试验|241
14.5 可靠性筛选|24414.5.1 功率老化|244
14.5.2 高温老化|244
14.5.3 湿度试验|244
14.5.4 高低温循环|244
14.5.5 其他项目的选用|244
14.6 例行试验和鉴定验收试验|24514.6.1 例行试验|245
14.6.2 鉴定验收试验|245
第15章 有机发光二极管|24615.1 有机发光二极管材料|24615.1.1 小分子有机物|246
15.1.2 高分子聚合物|247
15.1.3 镧系金属有机化合物|247
15.2 有机发光二极管的结构和原理|247
15.3 OLED实现白光的途径|24715.3.1 波长转换|247
15.3.2 颜色混合|248
15.4 有机发光二极管的驱动|252
15.5 有机发光二极管研发现状|254
15.6 白光OLED发展趋势和实用化预测|255
第16章 半导体照明驱动和控制|25716.1 LED驱动技术|25716.1.1 LED的电学性能特点|257
16.1.2 电源驱动方案|257
16.1.3 驱动电路基本方案|258
16.1.4 LED驱动器的特性|262
16.1.5 LED与驱动器的匹配|263
16.2 LED驱动器|26616.2.1 电容降压式LED驱动器|266
16.2.2 电感式LED驱动器|267
16.2.3 电荷泵式LED驱动器|267
16.2.4 LED恒流驱动器|269
16.3 LED集成驱动电路|26916.3.1 电荷泵驱动LED的典型电路|269
16.3.2 开关式DC/DC变换器驱动LED的典型电路|278
16.3.3 限流开关TPS2014/TPS2015|285
16.3.4 六路串联白光LED驱动电路MAX8790|287
16.3.5 集成肖特基二极管的恒流白光LED驱动器LT3591|289
16.3.6 低功耗高亮度LED驱动器LM3404|290
16.3.7 具有诊断功能的16通道LED驱动器AS1110|292
16.3.8 LED集成驱动电路资料摘编|293
16.4 控制技术|29516.4.1 调光|295
16.4.2 调色|296
16.4.3 调色温|297
16.4.4 智能照明|297
第17章 半导体照明应用|29817.1 半导体照明应用产品开发原则|29817.1.1 要从LED的优点出发开发应用产品|298
17.1.2 应用产品市场起动的判据——照明成本|299
17.1.3 应用产品的技术关键是散热|299
17.1.4 遵循功率由低到高、技术由易到难的原则|300
17.1.5 造型设计要创新|300
17.1.6 照明灯具通则|300
17.2 LED显示屏|30817.2.1 总体发展规模|308
17.2.2 产品技术完善、新品继续拓展|308
17.3 交通信号灯|30917.3.1 道路交通信号灯|310
17.3.2 铁路信号灯|312
17.3.3 机场信号灯|315
17.3.4 航标灯|315
17.3.5 路障灯|315
17.3.6 航空障碍灯|315
17.4 景观照明|31617.4.1 城市景观照明的功能作用|316
17.4.2 光源选择以LED为佳|318
17.4.3 LED景观灯具|318
17.4.4 LED景观照明典型工程|325
17.4.5 景观照明走向规范化|329
17.5 手机应用|329
17.6 汽车用灯|330
17.7 LCD显示背光源|33117.7.1 LED背光源的技术和市场状况分类概述|331
17.7.2 LED背光LCD TV的技术进展|333
17.8 微型投影机|33617.8.1 微型投影之光源——HBLED|336
17.8.2 微型显示器件|336
17.8.3 微型投影机研发现状和市场前景|338
17.9 通用照明|33917.9.1 便携式照明|339
17.9.2 室内照明|340
17.9.3 室外照明|355
17.10 光源效率和照明系统整体效率|374
第18章 半导体照明技术、市场现状和展望|37618.1 LED外延|37618.1.1 衬底|376
18.1.2 InGaN MOCVD设备的发展|377
18.2 LED芯片技术|377
18.3 LED封装技术|378
18.4 LED发光效率的发展|37818.4.1 功率LED|379
18.4.2 功率LED的研制方向|379
18.4.3 功率LED组件——应用热管技术|379
18.5 市场现状和预测|37918.5.1 高亮度LED市场现状和预测|379
18.5.2 中国LED应用市场现状和预测|380
18.6 半导体照明发展目标|381
参考文献|382
封底|388 |
